Memória de protótipo introduzida, 100.000 vezes mais rápida do que as contrapartes existentes

Uma equipe de pesquisadores da China anunciou a criação de um protótipo de memória não volátil que é 100.000 vezes mais rápida do que as contrapartes existentes. Os resultados, publicados na Nature, descrevem uma tecnologia capaz de realizar operações de leitura e escrita em apenas 0,4 nanosegundos. Para comparação, isso é dezenas de milhares de vezes mais rápido do que os atuais chips de cache baseados em SRAM.

O desenvolvimento é baseado em materiais bidimensionais — grafeno e disseleniato de tungstênio (WSe₂). Suas propriedades únicas permitiram que os pesquisadores superassem as limitações físicas dos transistores de silício, que permaneceram em grande parte inalterados desde a década de 1960. Em sistemas tradicionais, a velocidade é limitada pela necessidade de "acelerar" os elétrons usando um campo eletromagnético. Nesta nova memória, as partículas se comportam como sem massa, o que reduz drasticamente a perda de energia e acelera a transferência de dados.

O protótipo tem uma capacidade modesta de cerca de 1 KB, mas demonstra uma confiabilidade impressionante com mais de 5,5 milhões de ciclos de reescrita sem degradação. Os pesquisadores observam que o principal desafio agora é escalar a tecnologia. Nos próximos cinco anos, eles planejam aumentar a capacidade da memória para dezenas de megabytes e iniciar a produção comercial.

O desenvolvimento está em andamento desde 2015. Em 2021, um modelo teórico foi proposto, e em 2024, o primeiro chip com um comprimento de canal de 8 nm foi criado, quase metade do limite para equivalentes baseados em silício. De acordo com os pesquisadores, a implementação de tal armazenamento poderia reduzir o consumo de energia do processador e acelerar tarefas em redes neurais, onde a velocidade de processamento de dados é crítica.