Uma Revolução da Memória: DRAM+ Não Volátil Pronto para Produção

A Ferroelectric Memory Co. (FMC) e a Neumonda uniram forças para levar o DRAM+ ao mercado — uma tecnologia de memória de próxima geração que combina o desempenho do DRAM tradicional com a capacidade de reter dados sem energia, muito parecido com os SSDs.

No coração do DRAM+ está o óxido de hafnio ferroelétrico (HfO₂), que substitui os capacitores convencionais normalmente usados em células de memória. Essa inovação mantém as características de alta velocidade do DRAM enquanto elimina a necessidade de energia constante para preservar os dados. Tentativas anteriores usaram titanato de zirconato de chumbo (PZT), mas esse material se mostrou muito difícil e caro para escalar para designs de chips modernos e miniaturizados.

Diferente do PZT, o HfO₂ é totalmente compatível com os processos de fabricação de semicondutores existentes — mesmo aqueles que utilizam tecnologia sub-10nm. Isso abre a porta para a criação de chips de memória de vários gigabytes, tornando o DRAM+ um concorrente sério do DRAM padrão em termos de densidade de dados. A Neumonda fornecerá suas plataformas de teste especializadas — Rhinoe, Octopus e Raptor — para avaliar a nova memória. Essas plataformas são projetadas para baixo consumo de energia e oferecem capacidades de análise aprofundada que equipamentos tradicionais não conseguem igualar.

O DRAM+ deve encontrar uso inicialmente em eletrônicos automotivos, dispositivos médicos e sistemas de aprendizado de máquina. Além disso, a tecnologia pode ser integrada nas linhas de fabricação atuais sem grandes reformulações — uma vantagem chave que pode acelerar sua adoção.