Micron Technology apresentou seu mais recente chip DDR5, produzido usando o processo 1γ com litografia EUV — uma primeira para a empresa. A nova DRAM de 16 gigabits (2 GB) alcança velocidades de transferência de dados de até 9200 MT/s a uma tensão padrão de 1,1 V, superando significativamente os requisitos básicos dos padrões modernos.
Não apenas o novo produto oferece uma velocidade de clock mais alta, mas também possui uma eficiência energética melhorada. Comparado ao seu predecessor construído no processo 1β, o novo chip consome 20% menos energia e fornece 30% mais densidade de bits, potencialmente reduzindo os custos de produção quando rendimentos ótimos são alcançados. Embora 9200 MT/s ultrapasse as especificações típicas do DDR5, a Micron garante que o chip está totalmente em conformidade com os padrões JEDEC, abrindo caminho para compatibilidade com processadores futuros.
Neste estágio, a empresa está enviando amostras da nova memória para parceiros selecionados para testes abrangentes. Os testes de qualificação devem ser concluídos até o final do trimestre, com a produção em massa prevista para meados de 2025. O processo 1γ, que estreia a litografia EUV na produção, combina técnicas tradicionais de DUV de múltiplos padrões com as mais recentes inovações, como portas metálicas de alta-k e uma arquitetura de interconexão de back-end-of-line (BEOL) aprimorada.
A Micron não vai parar por aqui — a empresa planeja aproveitar ainda mais o processo 1γ no desenvolvimento de novos produtos, incluindo soluções para placas gráficas (GDDR7) e dispositivos móveis (LPDDR5X com velocidades de até 9600 MT/s). Esse movimento estratégico permitirá que a Micron fortaleça sua posição no mercado de memória, oferecendo soluções inovadoras tanto para sistemas de alto desempenho quanto para dispositivos móveis energeticamente eficientes.